Японские учёные разработали квантовую магнитную память: в 25 раз быстрее DRAM, без нагрева и износа

Исследователи из Токийского университета совместно с коллегами из Центра RIKEN CEMS представили новаторский тип энергоэффективного элемента памяти. Его функционирование основано на передовых квантово-механических принципах. Ключевое отличие заключается в том, что переключение состояний памяти осуществляется за счёт переноса спин-орбитального момента электрона, а не традиционного электрического тока. Этот инновационный подход обеспечивает значительное увеличение скорости работы (в 25 раз быстрее DRAM), минимизацию выделения тепла и практически полное отсутствие износа, делая новую память крайне перспективной для будущих технологий.